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| 关于AlGaAs:Si中DX中心的新观点 | |
| 作者姓名： | 李名复 贾英波 周洁 高季林 于鑫 |
| 作者单位： | 中国科学院研究生院 (李名复,贾英波),中国科学院半导体研究所 (周洁,高季林),美国加州大学柏克莱分校物理系和劳仑斯国家实验室(于鑫) |
| 摘 要： | 本文给出DX中心为负U中心时所满足的统计规律。指出它与大量AlGaAs:Si的Hall实验不定量符合。为此我们提出,Si可能形成二种不同的施主NU和SD。NU是产生DX能级的负U中心。SD只形成浅施主能级或电激活中心。两种中心的浓度N~(NU)和N~(SD)可以比拟。且N~(SD)/N~(NU)随Si浓度增加而增加。SD中心作为一种电子源,向NU输送电子,放宽了费米能级钉扎于DX能级的条件,从而与Hall实验相符。并用此观点重新解释了过去的种种实验。 |
| 关 键 词： | AlGaAs：Si DX中心 负U中心 半导体 |
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