| 在Si中In的热退火现象的扰动角关联研究 |
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| 引用本文： | 李东宏 李耀鑫. 在Si中In的热退火现象的扰动角关联研究[J]. 原子能科学技术, 1991, 25(3): 30-33 |
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| 作者姓名： | 李东宏 李耀鑫 |
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| 作者单位： | 中国原子能科学研究院 北京(李东宏，李耀鑫)，中国原子能科学研究院 北京(朱升云) |
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| 摘 要： | ![]()
文章采用时间微分扰动角关联方法细致地研究了核反应反冲注入到Si中的In的热退火现象。反冲注入后约70%的In处在高密度辐射损伤晶格无序区,随退火温度升高,晶格无序区逐渐缩小,经600℃退火后消失。但是实验发现,经798℃退火后,只有55%的In原子位于无扰动晶格替代位置,尚有45%的In原子仍处于扰动位置。文中对可能的扰动原因进行了讨论。
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| 关 键 词： | 硅 辐射损伤 扰动角关联 |
TDPAC STUDY ON ANNEALING BEHAVIOR OF In IN Si AFTER RECOIL IMPLANTATION |
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| LI DONGHONG,LI YUEXIN,ZHU SHENGYUN China Institute of Atomic Energy,P. O. Box ,Beijing. TDPAC STUDY ON ANNEALING BEHAVIOR OF In IN Si AFTER RECOIL IMPLANTATION[J]. Atomic Energy Science and Technology, 1991, 25(3): 30-33 |
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| Authors: | LI DONGHONG LI YUEXIN ZHU SHENGYUN China Institute of Atomic Energy P. O. Box Beijing |
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| Affiliation: | LI DONGHONG,LI YUEXIN,ZHU SHENGYUN China Institute of Atomic Energy,P. O. Box 275,Beijing |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | Si Radiation damage Time differential perturbed angular correlation (TDPAC) Annealing |
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