低噪声离子注入基区微波晶体管

研制了采用离子注入的改进的小信号双极微波晶体管。这种微波晶体管结构包含氧化隔离、砷掺杂发射极和离子注入基区。在8千兆赫下噪声系数达到了3.9分贝。研究了器件参数随注入剂量之变化,并用简化的模型说明其结果。评价了注入发射极和扩散发射极,发现它们给出类似的结果。