| Si3N4/TiN复相陶瓷常温导电性研究 |
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| 引用本文： | 张淑会,康志强,吕庆,薛向欣,陈红建. Si3N4/TiN复相陶瓷常温导电性研究[J]. 功能材料, 2010, 41(12) |
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| 作者姓名： | 张淑会 康志强 吕庆 薛向欣 陈红建 |
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| 作者单位： | 河北理工大学,冶金与能源学院,河北省现代冶金技术重点实验室,河北,唐山,063009;河北理工大学,资源与环境学院,河北,唐山,063009;东北大学,材料与冶金学院,辽宁,沈阳,110004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目,河北省自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 分析了以高硅铁尾矿合成的Si3N4粉和高钛渣为原料常压烧结制备的Si3N4/TiN复相陶瓷的常温导电性,并对其进行放电加工。研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,此时材料的电阻率为4.25×10-2Ω.cm。烧结温度升高,材料的电阻率略有降低。随放电加工速度的增加,加工表面的粗糙度明显增加。
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| 关 键 词： | Si3N4/TiN 复相陶瓷 导电性能 放电加工 |
Room-temperature electrical conductivity property of Si3N4/TiN multiphase ceramics |
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| ZHANG Shu-hui,KANG Zhi-qiang,LV Qing,XUE Xiang-xin,CHEN Hong-jian. Room-temperature electrical conductivity property of Si3N4/TiN multiphase ceramics[J]. Journal of Functional Materials, 2010, 41(12) |
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| Authors: | ZHANG Shu-hui KANG Zhi-qiang LV Qing XUE Xiang-xin CHEN Hong-jian |
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