| 磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT |
| |
| 引用本文： | 任春江,陈堂胜,焦刚,钟世昌,薛舫时,陈辰.磁控溅射AIN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT[J].固体电子学研究与进展,2009,29(3). |
| |
| 作者姓名： | 任春江 陈堂胜 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰 |
| |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016 |
| |
| 摘 要： | 报道了一种X波段输出功率密度达10.4 W/mm的SiC衬底AIGaN/GaN MIS-HEMT,器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的A1N介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8 GHz、55 V的工作电压下,研制的1 mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4 W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56 dB和39.2%.
|
| 关 键 词： | 场板 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 氮化铝 金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管 |
AlGaN/GaN MIS-HEMT with Magnetron Sputtered AIN |
| |
| REN Chunjiang,CHEN Tangsheng,JIAO Gang,ZHONG Shichang,XUE Fangshi,CHEN Chen.AlGaN/GaN MIS-HEMT with Magnetron Sputtered AIN[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2009,29(3). |
| |
| Authors: | REN Chunjiang CHEN Tangsheng JIAO Gang ZHONG Shichang XUE Fangshi CHEN Chen |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
