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| 高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质 | |
| 引用本文： | 江若琏,刘建林,李海峰,郑厚植.高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质[J].半导体学报,1994,15(7):501-504. |
| 作者姓名： | 江若琏 刘建林 李海峰 郑厚植 |
| 作者单位： | 南京大学物理系，半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６e１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１e１３ｃｍ－２）． |
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