| SiO2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 |
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| 引用本文： | 王科范,盛斌,刘金锋,徐彭寿,潘海滨,韦世强.SiO2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究[J].真空科学与技术学报,2005,25(5):358-361,366. |
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| 作者姓名： | 王科范 盛斌 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜.利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响.实验结果表明,当衬底温度超过500 ℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点.在650 ℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成.
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| 关 键 词： | Ge量子点 SiO2薄膜 原子力显微镜 反射高能电子衍射(RHEED) |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）05-0358-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-21 |
| 修稿时间： | 2005-03-21 |
Growth of Ge Quantum Dots on SiO2/Si(111) Surface |
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| Wang Kefan,Sheng Bin,Liu Jinfeng,Xu Pengshou,Pan Haibin,Wei Shiqiang.Growth of Ge Quantum Dots on SiO2/Si(111) Surface[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(5):358-361,366. |
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| Authors: | Wang Kefan Sheng Bin Liu Jinfeng Xu Pengshou Pan Haibin Wei Shiqiang |
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| Affiliation: | National Synchrotron Radiation Laboratory, Univeristy of Science and Technology of China, Hefei 230029, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si(111) (AFM) |
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