| 在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性 |
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| 引用本文： | 张福甲,虎志明.在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性[J].半导体光电,1994(2). |
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| 作者姓名： | 张福甲 虎志明 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系 |
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| 摘 要： | 文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。
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| 关 键 词： | GaAs（311）面，单量子阱，生长特性 |
Study on Properties of Al_xGa_(1-x)As/GaAs Single Quantum Well Grown on(311)GaAs Substrates |
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| Zhang Fujia, Hu Zhiming.Study on Properties of Al_xGa_(1-x)As/GaAs Single Quantum Well Grown on(311)GaAs Substrates[J].Semiconductor Optoelectronics,1994(2). |
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| Authors: | Zhang Fujia Hu Zhiming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Oriented GaAs Substrate Single Quantum Well Properties of Growth |
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