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NAND Flash控制器中RS码的设计与验证
引用本文:张文静,姚智慧.NAND Flash控制器中RS码的设计与验证[J].计算机工程与设计,2013,34(7).
作者姓名:张文静  姚智慧
作者单位:中国航天科工集团第二研究院706所,北京,100854
摘    要:由于工艺制约,NAND Flash存储器会出现位差错现象,为此引入了RS码保证其数据完整性和正确性.在研究RS码基本原理基础上,给出了编码和译码的电路实现,其中采用并行结构实现钱式搜索电路、采用流水线架构实现译码.与传统方法相比,该实现缩短了计算周期,提高了最高工作频率.在Quartus平台下对RS编译码模块进行功能仿真,仿真结果表明,该纠错码能够满足NANDflash存储器纠错要求,是一种正确适用的纠错方案.

关 键 词:存储器  编码  译码  并行结构  流水线架构案  功能仿真

Design and verification of RS based NAND flash controller
ZHANG Wen-jing , YAO Zhi-hui.Design and verification of RS based NAND flash controller[J].Computer Engineering and Design,2013,34(7).
Authors:ZHANG Wen-jing  YAO Zhi-hui
Abstract:
Keywords:storage  encoder  decoder  parallel structure  pipelining structure  function simulation
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