| 高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析 |
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| 引用本文： | 王雪敏,阎大伟,沈昌乐,赵 妍,黎维华,周民杰,罗跃川,彭丽萍,吴卫东,唐永建.高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析[J].太赫兹科学与电子信息学报,2013,11(4):536-540. |
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| 作者姓名： | 王雪敏 阎大伟 沈昌乐 赵 妍 黎维华 周民杰 罗跃川 彭丽萍 吴卫东 唐永建 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心，四川 绵阳 621999; 中国工程物理研究院 太赫兹研究中心，四川 绵阳 621999 |
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| 摘 要： | 针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，分析了双δ掺杂 GaAs HEMT的结构组成，基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂 GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用 X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明， HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012 cm-3，电子迁移率大于6520 cm2·V-1·s-1。
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 多层结构 双δ掺杂 |
| 收稿时间： | 2013/4/17 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2013/4/23 0:00:00 |
Preparation and analysis of HEMT materials structure |
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| WANG Xue-min,YAN Da-wei,SHEN Chang-le,ZHAO Yan,LI Wei-hu,ZHOU Min-jie,LUO Yue-chuan,PENG Li-ping,WU Wei-dong and TANG Yong-jian.Preparation and analysis of HEMT materials structure[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2013,11(4):536-540. |
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| Authors: | WANG Xue-min YAN Da-wei SHEN Chang-le ZHAO Yan LI Wei-hu ZHOU Min-jie LUO Yue-chuan PENG Li-ping WU Wei-dong and TANG Yong-jian |
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