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一种新型的高噪声抑制比及高温度稳定性的基准电压产生器
引用本文:彭增发,黄晟,毛友德,丁海涛. 一种新型的高噪声抑制比及高温度稳定性的基准电压产生器[J]. 微电子技术, 2003, 31(3): 51-55
作者姓名:彭增发  黄晟  毛友德  丁海涛
作者单位:1. 合肥工业大学应用物理系,合肥,230009
2. 世宏科技,苏州,有限公司,苏州,215021
摘    要:
基准电压源 (或基准电流源 )在CMOS模拟电路中被非常广泛地采用 ,因其在一定的温度范围内随温度的变化很小。本文介绍一种新型的CMOS基准电压产生器 ,采用CSMC6 0工艺和5 0V的工作电压 ,在 - 10℃到 +85℃的温度范围内 ,它能够产生约为 95 8± 3 5mV的基准电压 ,而且此基准电压在低频时的电源噪声抑制比PSRR达 15 5dB ,可以为各种中低功耗的CMOS集成电路提供稳定的工作电压

关 键 词:基准电压 CMOS 运算放大器 双极型晶体管 电源噪声抑制比 电压产生器
文章编号:1008-0147(2003)03-51-05
修稿时间:2002-09-17

Novel Reference Voltage Generator with High PSRR and High Temperature Stability
PENG Zeng-fa ,HUANG Sheng ,MAO You-de ,DING Hai-tao. Novel Reference Voltage Generator with High PSRR and High Temperature Stability[J]. Microelectronic Technology, 2003, 31(3): 51-55
Authors:PENG Zeng-fa   HUANG Sheng   MAO You-de   DING Hai-tao
Affiliation:PENG Zeng-fa 1,HUANG Sheng 2,MAO You-de 1,DING Hai-tao 1
Abstract:
Keywords:Voltage reference  CMOS  Operating amplifier  Bipolar transistor  PSRR  
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