| 80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究 |
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| 引用本文： | 褚忠强,徐曦,牟维兵,詹峻岭,赵刚.80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究[J].微电子学,2009,39(4). |
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| 作者姓名： | 褚忠强 徐曦 牟维兵 詹峻岭 赵刚 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应.对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯片输出波形的变化.研究了单元电路的辐照敏感性对系统辐射损伤的贡献,得到了系统及单元电路的剂量增强系数.从实验结果综合分析得出:相对而言,PSD单元电路是辐射敏感区域,严重影响了系统的抗辐射能力;系统和单元电路的剂量增强并不显著,一方面,芯片采用的是塑封工艺,不存在重金属材料,另一方面,封装外壳吸收了部分低能X射线,实验测量到的剂量增强系数小于真实值.
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| 关 键 词： | 单片机系统 单元电路 总剂量辐照 剂量增强效应 |
X-Ray Dose Enhancement Effects on 80C196 Microcomputer System |
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| CHU Zhongqiang,XU Xi,MU Weibing,ZHAN Junling,ZHAO Gang.X-Ray Dose Enhancement Effects on 80C196 Microcomputer System[J].Microelectronics,2009,39(4). |
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| Authors: | CHU Zhongqiang XU Xi MU Weibing ZHAN Junling ZHAO Gang |
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| Affiliation: | Institute of Electronic Engineering;Chinese Academy of Engineering and Physics;Mianyang;Sichuan 621900;P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Microcomputer system Cell circuit Total dose irradiation Dose enhancement effect |
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