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| 退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响 | |
| 引用本文： | 王果,卢景霄,李新利,高海波,焦岳超,李瑞.退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响[J].功能材料,2011,42(6):1001-1003. |
| 作者姓名： | 王果 卢景霄 李新利 高海波 焦岳超 李瑞 |
| 作者单位： | 1. 郑州大学,物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052 2. 郑州大学,物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;河南工业大学,河南,郑州,450051 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB202601) |
| 摘 要： | 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜.随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的P型微晶硅薄膜进行了退火处理.研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化.退火后,薄膜表面... |
| 关 键 词： | p型微晶硅 退火 PECVD 晶化率 表面粗糙度 |
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