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硅平面器件内部结构问题的显微考察与精密测量技术
引用本文:曾庆城.硅平面器件内部结构问题的显微考察与精密测量技术[J].半导体技术,1979(Z1).
作者姓名:曾庆城
作者单位:江西大学物理系半导体教研组
摘    要:众所周知,在本世纪六十年代初期,半导体平面工艺的出现,引起了半导体技术的重大变革,使得一些新型的半导体器件迅速发展。从此,平面工艺也就成为目前广泛使用的各种硅平面晶体管、半导体集成电路、特别是大规模集成电路研制生产和发展的技术基础。近二十年来,它已发展成了制造半导体器件、特别是制造各种微波晶体管和集

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