| 高质量ZnO薄膜的退火性质研究 |
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| 引用本文： | 叶建东,朱顺明,陈童,胡立群,秦峰,张荣,施毅,沈波,郑有炓.高质量ZnO薄膜的退火性质研究[J].高技术通讯,2002,12(12):45-48. |
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| 作者姓名： | 叶建东 朱顺明 陈童 胡立群 秦峰 张荣 施毅 沈波 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家 973计划 (G0 0 1CB30 95 )资助项目。 |
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| 摘 要： | 在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 氧化锌薄膜 退火 光致发光 金属有机气相外延沉积 |
The Influence of Anneal Technique on the Properties of High-Quality ZnO Films |
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| Ye Jiandong,Gu Shulin,Zhu Shunmin,Chen Tong,Hu Liqun,Qin Feng,Zhang Rong,Shi Yi,Shen Bo,Zheng Youdou.The Influence of Anneal Technique on the Properties of High-Quality ZnO Films[J].High Technology Letters,2002,12(12):45-48. |
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| Authors: | Ye Jiandong Gu Shulin Zhu Shunmin Chen Tong Hu Liqun Qin Feng Zhang Rong Shi Yi Shen Bo Zheng Youdou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Zinc oxide film Annealing Photoluminescence MOCVD |
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