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以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究
引用本文:胡向洋,汪荣昌,顾志光,戎瑞芬,邵丙铣,宗祥福.以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究[J].固体电子学研究与进展,2001,21(2):211-215.
作者姓名:胡向洋  汪荣昌  顾志光  戎瑞芬  邵丙铣  宗祥福
作者单位:复旦大学材料科学系,
基金项目:国家自然科学基金重点项目资助 !(项目编号 6 9836 0 30 )
摘    要:研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于 10 MPa。同时对这两种方法的特点与适用范围进行概述

关 键 词:氮化铝  倒扣封装  化学镀  激光诱导淀积
文章编号:1000-3819(2001)02-0211-05
修稿时间:1999年11月5日

Study of he Process of the Flip Chip Package Based on Aluminum Nitride Substrate
Abstract:The process of flip chip based on aluminum nitride is studied. Various methods to metallize aluminum nitride substrate are discussed. Electroless plating method and laser induced deposition method are respectively studied. The adhesion strength of the metal film made by two methods is excellent. The advantages and the application range of two methods is also summarized.
Keywords:aluminum nitride  flip chip package  electroless plating  laser  induced deposition
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