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| 元素半导体 | |
| 摘 要： | 0212505厚度对 a-Si:H 薄膜性能的影响刊]/钱祥忠//真空电子技术.—2002,(1).—40～42(C)用等离子体增强化学气相沉积法在最佳工艺参数下在硼玻璃基片上沉积了厚度为1μm 以下的不同厚度的 a-Si:H 薄膜。测量了薄膜厚度对它的光电性质 |
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