| HfOxNy的场发射特性 |
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| 引用本文： | 段辉高,谢二庆,叶凡,蒋然,王晓明.HfOxNy的场发射特性[J].半导体学报,2006,27(z1):208-210. |
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| 作者姓名： | 段辉高 谢二庆 叶凡 蒋然 王晓明 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.
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| 关 键 词： | HfOxNy 场发射 高压"锻炼" |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0208-03 |
| 修稿时间： | 2005年10月30日 |
Field Emission from Hafnium Oxynitride |
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| Duan Huigao,Xie Erqing,Ye Fan,Jiang Ran,Wang Xiaoming.Field Emission from Hafnium Oxynitride[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):208-210. |
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| Authors: | Duan Huigao Xie Erqing Ye Fan Jiang Ran Wang Xiaoming |
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