| SiC宽禁带功率放大器的设计与实践 |
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| 引用本文： | 刘晗,郑新,商坚钢,余振坤.SiC宽禁带功率放大器的设计与实践[J].微波学报,2008,24(5). |
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| 作者姓名： | 刘晗 郑新 商坚钢 余振坤 |
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| 作者单位： | 南京电子技术研究所,南京,210013 |
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| 摘 要： | 介绍了SiC宽禁带功率器件的特性,与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能.利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段100W功率放大器.对SiC宽禁带功率放大器进行性能测试和环境实验,分析了SiC宽禁带功率器件的性能特点和优势.SiC宽禁带功率器件有利于提高功率放大器的工作带宽,改善功率放大器的环境适应性.
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| 关 键 词： | SiC功率器件 固态功率放大器 宽禁带 |
Design and Practice of SiC Wide Band Gap Power Amplifier |
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| LIU Han,ZHENG Xin,SHANG Jian-gang,YU Zhen-kun.Design and Practice of SiC Wide Band Gap Power Amplifier[J].Journal of Microwaves,2008,24(5). |
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| Authors: | LIU Han ZHENG Xin SHANG Jian-gang YU Zhen-kun |
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