外部和内部因素对纳米晶合金kHz级饱和磁化过程影响的微磁学分析 |
| |
引用本文: | 韩智云,邹亮,伍珈乐,张黎,赵彤.外部和内部因素对纳米晶合金kHz级饱和磁化过程影响的微磁学分析[J].电工技术学报,2019,34(8). |
| |
作者姓名: | 韩智云 邹亮 伍珈乐 张黎 赵彤 |
| |
作者单位: | 山东大学电气工程学院 济南 250061;广西电网有限责任公司南宁供电局 南宁 530029 |
| |
摘 要: | 纳米晶合金在kHz级复杂高频饱和工况下的建模问题由于缺乏基础研究而变得愈加突出。基于微磁学模拟软件OOMMF,建立介观尺度下纳米晶合金(Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9)的三维模型,计算得到的模型静态磁特性参数与实验测量结果基本吻合,验证了该三维模型的正确性。采用磁矩偏转角速度ω表征饱和磁化过程中磁矩的进动情况,定量界定"动态饱和"和"静态饱和"两种工况,据此分别探究外部因素(包括附加直流偏置磁场Bd和磁化频率f)和内部因素(即晶粒尺寸d)的不同变化对饱和磁化过程的影响机理。结果表明:对于外部因素,在动态饱和工况下,增大Bd或提高f均对磁矩偏转有加速作用,其中增大Bd的效果更明显;在静态饱和工况下,纳米晶合金的磁化速度已达最大,此时增大Bd或提高f均已不能加速磁矩的偏转。对于内部因素,无论动态还是静态饱和,减小晶粒尺寸均会增大磁矩偏转角速度ω,从而加速纳米晶合金材料的磁化过程。
|
关 键 词: | 纳米晶合金 微磁学模拟 饱和磁化过程 磁矩偏转 磁化频率 直流偏置磁场晶粒尺寸 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|