| C/SiC复合材料的低温制备工艺研究 |
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| 引用本文： | 周长城,张长瑞,胡海峰,张玉娣.C/SiC复合材料的低温制备工艺研究[J].材料工程,2012(9):44-47. |
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| 作者姓名： | 周长城 张长瑞 胡海峰 张玉娣 |
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| 作者单位： | 1. 总后建筑工程研究所,西安710032;国防科学技术大学航天与材料工程学院,长沙410073
2. 国防科学技术大学航天与材料工程学院,长沙,410073 |
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| 摘 要： | 陶瓷基复合材料制备温度过高一直是制约其引入主动冷却工艺、突破其本征使用温度的主要原因之一。采用差热(TG-DTA)、红外(IR)、X射线衍射(XRD)等分析测试手段,研究了聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)的裂解及化学转化过程,从理论上说明了先驱体聚碳硅烷(PCS)低温(1000℃)陶瓷化的可行性。结果表明:聚碳硅烷在750℃实现无机化,880℃开始结晶,即聚碳硅烷在高温合金耐受温度范围(1000℃)内,即可实现陶瓷化。以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,炭纤维为增强体,采用先驱体浸渍裂解(PIP)工艺低温制备了炭纤维增强碳化硅(C/SiC)陶瓷基复合材料,当制备温度为900℃时,所制备C/SiC复合材料密度为1.70g/cm3,弯曲强度达到657.8MPa,剪切强度为61.02MPa,断裂韧性为22.53MPa.m1/2,并采用扫描电子显微镜(SEM)对复合材料的微观形貌进行了分析。
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| 关 键 词： | PCS C/SiC 复合材料 先驱体浸渍裂解 低温制备 |
Preparation of C/SiC Composites at Low Temperature |
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| ZHOU Chang-cheng
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ZHANG Chang-rui
,
HU Hai-feng
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ZHANG Yu-di.Preparation of C/SiC Composites at Low Temperature[J].Journal of Materials Engineering,2012(9):44-47. |
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| Authors: | ZHOU Chang-cheng ZHANG Chang-rui HU Hai-feng ZHANG Yu-di |
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| Affiliation: | 1 Architectural Engineering Institute of General Logistics Department, Xi’an 710032,China;2 College of Aerospace & Materials Engineering, National University of Defense Technology,Changsha 410073,China) |
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