| Sb掺杂闪锌矿GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 宿磊,王旭东,姚曼. Sb掺杂闪锌矿GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究[J]. 材料导报, 2012, 26(18): 142-147 |
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| 作者姓名： | 宿磊 王旭东 姚曼 |
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| 作者单位： | 大连理工大学材料科学与工程学院,大连,116023 |
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| 摘 要： | ![]()
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿GaAs体系GaAs1-xSbx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、复介电函数和吸收系数。计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶格常数线性增大,并使得体系导带和价带组成发生改变,禁带宽度呈二次多项式变化。随着掺杂浓度的增加,体系静态介电常数线性增大,吸收带边出现了明显的红移现象。分析了掺杂Sb诱发GaAs1-xSbx体系的电子和光学性质改变,为Sb掺杂闪锌矿GaAs在光电子学和微电子学方面的实际应用提供了一定的理论依据。
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| 关 键 词： | 第一性原理 Sb掺杂GaAs 电子结构 光学性质 |
The First Principles Study on Electronic and Optical Properties of Sb-doped Zinc Blende GaAs |
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| SU Lei , WANG Xudong , YAO Man. The First Principles Study on Electronic and Optical Properties of Sb-doped Zinc Blende GaAs[J]. Materials Review, 2012, 26(18): 142-147 |
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| Authors: | SU Lei WANG Xudong YAO Man |
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| Affiliation: | (School of Materials Science and Engineering,Dalian University of Technology,Dalian 116023) |
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| Abstract: | ![]()
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