首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Cu2ZnSnS4薄膜及其太阳电池的研究进展
引用本文:江丰,沈鸿烈. Cu2ZnSnS4薄膜及其太阳电池的研究进展[J]. 半导体光电, 2011, 32(6): 756-761,796
作者姓名:江丰  沈鸿烈
作者单位:南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016
基金项目:国家“863”计划项目(2006AA03Z219);江苏高校优势学科建设工程资助项目
摘    要:Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜材料成本低廉且无毒,其电学性能主要由自身所含的缺陷决定,一般呈P型导电性。CZTS的禁带宽度为1.5eV左右,在可见光范围内的光学吸收系数一般都大于10^4cm^-1,所以其非常适合作为太阳电池的吸收层。经过国内外学者10余年的努力,CZTS太阳电池光电转换效率提升明显。相信不久的将来,CZTS薄膜电池必将得到广泛的应用。主要介绍了CZTS材料的制备方法、CZTS材料性能和CZTS太阳电池的研究进展。

关 键 词:CZTS  制备方法  太阳电池  研究进展

Research Progresses on Cu2ZnSnS4 Film and Related Solar Cells
JIANG Feng,SHEN Honglie. Research Progresses on Cu2ZnSnS4 Film and Related Solar Cells[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2011, 32(6): 756-761,796
Authors:JIANG Feng  SHEN Honglie
Affiliation:(College of Materials Science and Technology,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics,Nanjing 210016,CHN)
Abstract:
Keywords:CZTS  preparation method  solar cell  research progress
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号