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| 0～3.5 T直流背景磁场下第二代高温超导带材临界电流各向异性测试与分析 | |
| 作者姓名： | 刘辉 张妍 戴银明 方进 王晖 王海洋 秦汉阳 诸嘉慧 陈盼盼 |
| 摘 要： | 为掌握第二代(2G)高温超导(HTS)带材在0～3.5 T直流背景磁场下的临界电流(Ic)和n值变化趋势,构造和应用了一种新型分裂背场磁体系统,通过测试分析获得了背景磁场对Ic和n值的影响规律.采用4.2 K运行温度、两个同轴分裂的NbTi线圈构成的超导磁体和样品保持器来改变背景磁场的大小和角度(0～3.5 T、0～9... |
| 关 键 词： | 分裂背场磁体 临界电流 n值 高温超导带材 NbTi |
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