| In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与线列器件 |
| |
| 引用本文： | 缪国庆,张铁民,金亿鑫,蒋红,李志明,宋航. In0.53Ga0.47As/InP红外探测器材料与线列器件[J]. 红外与激光工程, 2007, 36(Z1) |
| |
| 作者姓名： | 缪国庆 张铁民 金亿鑫 蒋红 李志明 宋航 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
| |
| 摘 要： | 采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×256线列器件,光谱响应范围为O.90～1.70 μm,量子效率为73%,在零偏压下,暗电流为1.62×10-8A,动态零压电阻为2.72×105Ω.单元探测器波段探测率为1.71×1012cmHz1/2W-1.
|
| 关 键 词： | 铟镓砷 金属有机化合物气相沉积 探测器 |
In0.53Ga0.47As/InP infrared materials and line array dsetectors |
| |
| MIAO Guo-qing,ZHANG Tie-min,JIN Yi-xin,JING Hong,LI Zhi-ming,SONG Hang. In0.53Ga0.47As/InP infrared materials and line array dsetectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2007, 36(Z1) |
| |
| Authors: | MIAO Guo-qing ZHANG Tie-min JIN Yi-xin JING Hong LI Zhi-ming SONG Hang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
