| 一种低压低功耗Flash BiCMOS SRAM的设计 |
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| 引用本文： | 成立,陈照章,李彦旭,董素玲,唐平,高平. 一种低压低功耗Flash BiCMOS SRAM的设计[J]. 微电子学, 2003, 33(1): 49-52 |
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| 作者姓名： | 成立 陈照章 李彦旭 董素玲 唐平 高平 |
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| 作者单位： | 1. 江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013
2. 徐州建筑职业技术学院,机电工程系,江苏,徐州,221008 |
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| 基金项目： | 江苏省教育厅自然科学研究基金项目(02KJB510005)，江苏大学2001年青年基金项目(JDQ2001010)，徐州建筑职业技术学院2001年科研项目资助 |
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| 摘 要： | 设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明，所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V以下，它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成度的特征，又获得了双极型电路快速、大电流驱动能力的长处，因而特别适用于高速缓冲静态存储器和便携式数字电子设备的存储系统中。
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| 关 键 词： | 静态随机读写存储器 BiCMOS存储单元 SRAM 地址译码器 输入／输出电路 读出放大器 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)01-0049-04 |
| 修稿时间： | 2002-06-18 |
A Low-Voltage Low-Power Flash BiCMOS SRAM |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BiCMOS SRAM VLSI Sense amplifier Input/Output circuit Address decoder |
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