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条形InP/InGaAsP-EAM的色散特性实验研究
引用本文:蔡纯,刘旭,张明德,孙小菡.条形InP/InGaAsP-EAM的色散特性实验研究[J].光电子.激光,2008,19(4):434-438.
作者姓名:蔡纯  刘旭  张明德  孙小菡
作者单位:1. 东南大学电子工程系光子学与光通信研究室,江苏,南京,210096;东南大学生物医学工程系,江苏,南京,210096
2. 东南大学电子工程系光子学与光通信研究室,江苏,南京,210096
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:采用Agilent公司的81910A光子全参数测试仪,实验研究了不同组分比的条形InP/In1-xGaxAs1-yPy多量子阱电吸收调制器(MQW-EAM)的色度色散(CD)特性.研究结果表明,Ⅲ-Ⅴ半导体MQW-EAM的CD特性与材料密切相关,并估算了EAM的带宽.因此,对应用于高速光通信系统中的同类型半导体光子器件,所用材料必须尽可能一致,以保证其高速性能的一致性.

关 键 词:InP/InGaAsP  色度色散(CD)  群时延(GD)  电吸收调制器(EAM)  多量子阱(MQW)  色度色散  特性实验  研究  strip  dispersion  characteristics  research  一致性  高速性能  光子器件  类型  高速光通信系统  应用  带宽  估算  相关  材料  半导体  结果  多量子阱电吸收调制器  组分比
文章编号:1005-0086(2008)04-0434-05
修稿时间:2007年3月29日

Experimental research on dispersion characteristics of strip InP/InGaAsP-MQW-EAM
CAI Chun,LIU Xu,ZHANG Ming-de,SUN Xiao-han.Experimental research on dispersion characteristics of strip InP/InGaAsP-MQW-EAM[J].Journal of Optoelectronics·laser,2008,19(4):434-438.
Authors:CAI Chun  LIU Xu  ZHANG Ming-de  SUN Xiao-han
Affiliation:CAI Chun1,2,LIU Xu1,ZHANG Ming-de1,SUN Xiao-han1(1.Research Laboratory of photonics , optical communication Southeast University,Nanjing 210096,China,2.Biomedical Engineering,Southeast University,China)
Abstract:With the 81910A photonic all-parameter tester from Agilent Company the chromatic dispersion characteristics of strip InP/In1-xGaxAs1-yPy-multiple-quantum-well electro-absorption-modulator(MQW-EAM)with different component ratios are studied,and the bandwidth of EAM is estimated.The research results show that the dispersion characteristics of III-V semiconductor MQW-EAM are closely related to materials.Therefore,the materials for semiconductor photonic devices with the same type applied to high-speed optical ...
Keywords:InP/InGaAsP  chromatic dispersion(CD)  group delay(GD)  electro-absorption-modulator(EAM)  multiple quantum well(MQW)  
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