| 基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器 |
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| 作者姓名： | 桑茂盛 徐国庆 乔辉 李向阳 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083;中国科学院大学,北京100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083 |
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| 基金项目： | Supported by the National Key Research and Development Program of China （2021YFA0715501） |
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| 摘 要： | 报道了基于梯度能带结构的高速室温中波红外HgCdTe器件,器件设计为n-on-p同质结结构,在300 K的零偏压条件下达到了1.33 ns（750 MHz）的总的响应时间,相对于非制冷的碲镉汞器件和工作于高偏压下的碲镉汞APD器件响应速度有所提高。基于一维模型的分析表明,吸收层中的组分梯度可以形成内置电场并改变了载流子的输运特性,该模型由不同组分梯度的HgCdTe器件的实验对比验证。因此,此项工作优化了高速HgCdTe中波红外探测器的设计,并为设计超快中波红外光电探测器提供了一种可行的思路。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 高速 中波红外 组分梯度 |
| 收稿时间： | 2022-03-22 |
| 修稿时间： | 2022-11-11 |
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