|
|||||
|
|
| GD a-Si:(Cl,H)薄膜的ESR研究 | |
| 引用本文： | 廖显伯,杨喜荣,刘昌灵,孔光临,侯贵,徐广智.GD a-Si:(Cl,H)薄膜的ESR研究[J].半导体学报,1983,4(6):593-595. |
| 作者姓名： | 廖显伯 杨喜荣 刘昌灵 孔光临 侯贵 徐广智 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (廖显伯，杨喜荣，刘昌灵，孔光临)，中国科学院化学研究所 (侯贵)，中国科学院化学研究所(徐广智) |
| 摘 要： | 报道了对a-Si:(Cl,H)与a-Si:H薄膜的ESR比较研究的结果.在a-Si:(Cl,H)中除g=2.005信号外未发现新的自旋信号,说明Cl原子上没有未配对电子;也没有发现在g=2.005附近有超精细结构,峰宽也无显著变化,说明Cl原子不在悬键附近. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |