| 硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响 |
| |
| 引用本文： | 高文钰,刘忠立,和致经,于芳,梁桂荣,李国花.硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响[J].半导体学报,1999,20(5):383-388. |
| |
| 作者姓名： | 高文钰 刘忠立 和致经 于芳 梁桂荣 李国花 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| |
| 摘 要： | 实验研究表明热生长１３ｎｍ薄ＳｉＯ２的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系．氧化前稀ＨＦ酸及ＨＦ／乙醇漂洗不会提高热氧化薄ＳｉＯ２的可靠性；氧化前用ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（０．０５∶２∶５）溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄ＳｉＯ２可靠性很有效；用Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２（３∶１）溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显，在之前增加比例为０．０５∶２∶５或１∶２∶５的ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ溶液清洗和稀ＨＦ酸漂洗效果更好．另外，薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗
|
| 关 键 词： | 硅 二氧化硅 热氧化 表面清洗 可靠性 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
