光致发光测定6H—SiC中的氮掺杂浓度 |
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引用本文: | Henry.,A 付士萍.光致发光测定6H—SiC中的氮掺杂浓度[J].半导体情报,1995,32(5):40-42. |
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作者姓名: | Henry. A 付士萍 |
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摘 要: | 杂质和本征发光强度可反映出掺杂浓度。本文介绍了一种测量6H-SiC中氮杂质的校准方法,该方法对于10^14~10^16cm^-3浓度范围内的n型掺杂都是有效的。并对光致发光实验过程中的激励强度,温度的影响以及与受主有关光谱的观测进行了研究。
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关 键 词: | 碳化硅 氮 掺杂浓度 光致发光 测定 |
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