| GaAs/AlGaAs量子级联激光器 |
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| 引用本文： | 刘俊岐,路秀真,郭瑜,刘峰奇,王占国.GaAs/AlGaAs量子级联激光器[J].半导体学报,2005,26(3):624-626. |
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| 作者姓名： | 刘俊岐 路秀真 郭瑜 刘峰奇 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083
(刘俊岐，路秀真，郭瑜，刘峰奇)，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083(王占国) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm，腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K，81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW．
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| 关 键 词： | 量子级联激光器 分子束外延 有源区 注入区 AlGaAs 量子级联激光器 Lasers Cascade 峰值功率 效率修正 温度 准连续 器件 腔长 激射波长 生长 方法 外延 分子束 利用 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0624-03 |
| 修稿时间： | 2005年2月3日 |
GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers |
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| Liu Junqi,Lu Xiuzhen,Guo Yu,Liu Fengqi,WANG Zhanguo.GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):624-626. |
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| Authors: | Liu Junqi Lu Xiuzhen Guo Yu Liu Fengqi WANG Zhanguo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum cascade laser molecular beam epitaxy active region injector |
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