| InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的理论研究与优化 |
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| 引用本文： | 潘保瑞,唐吉玉,朱永安,何右青,陆旭兵. InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的理论研究与优化[J]. 半导体光电, 2016, 0(2) |
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| 作者姓名： | 潘保瑞 唐吉玉 朱永安 何右青 陆旭兵 |
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| 作者单位： | 华南师范大学物理与电信工程学院,广州,510006 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61271127). |
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| 摘 要： | 基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池(QD-IBSC)结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型,从理论上分析了量子点中间带太阳电池的电压电流特性,定量讨论了量子点层厚度、温度以及n型掺杂对电压电流特性的影响.模拟结果表明:在i层厚度取400 nm时转化效率达到最大值14.01％;温度会对量子点中间带太阳电池的电压电流特性产生影响,温度在300～350 K范围内,开路电压Voc随温度的升高而明显减小,短路电流Jsc几乎不变;对i区进行n型掺杂会抑制量子点层发挥作用.
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| 关 键 词： | 太阳电池 InAs/GaAs量子点 漂移扩散 I-V特性 中间带太阳电池 |
Theoretical Study and Optimization of InAs/GaAs Quantum Dots Intermediate Band Solar Cells |
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| PAN Baorui,TANG Jiyu,ZHU Yongan,HE Youqing,LU Xubing. Theoretical Study and Optimization of InAs/GaAs Quantum Dots Intermediate Band Solar Cells[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 0(2) |
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| Authors: | PAN Baorui TANG Jiyu ZHU Yongan HE Youqing LU Xubing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solar cells InAs/GaAs quantum dots drift-diffusion I-V characteristics IBSC |
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