| 多孔硅中两种不同的光致发光谱 |
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| 引用本文： | 廖良生,鲍希茂,闵乃本,王水凤,曾庆城.多孔硅中两种不同的光致发光谱[J].半导体学报,1995,16(2):145-148. |
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| 作者姓名： | 廖良生 鲍希茂 闵乃本 王水凤 曾庆城 |
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| 作者单位： | [1]南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室，南京2100 [2]南京大学物理系和固体微结构国 |
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| 摘 要： | 采用连续变化的单色光作为激发光源，测量了多孔硅的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＬＰＥ）谱．结果表明，多孔硅存在两种不同的ＰＬ谱．一种是人们通常观察到的ＰＬ谱，其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长（λｅｘ）的变短而蓝移，我们称其力量子限制型光致发光（ＱＰＬ）谱．另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λｅｘ而变化的ＰＬ谱，我们称其为非量子限制型光致发光（ＮＱＰＬ）谱．多孔硅还存在与ＰＬ谱相对应的两种不同的ＰＬＥ谱．与ＱＰＬ谱对应的ＰＬＥ谱是双峰谱，与ＮＱＰＬ谱对应的ＰＬ
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| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光谱 光致发射 |
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