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| 单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能 | |
| 引用本文： | 解挺,吴玉程,张立德.单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能[J].功能材料,2004,35(Z1):3027-3029. |
| 作者姓名： | 解挺 吴玉程 张立德 |
| 作者单位： | 1. 合肥工业大学,摩擦学研究所,安徽,合肥,230009;中国科学院固体物理研究所,安徽,合肥,230031 2. 合肥工业大学,材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009;中国科学院固体物理研究所,安徽,合肥,230031 3. 中国科学院固体物理研究所,安徽,合肥,230031 |
| 基金项目： | 国家重大基础研究"973"资助项目(1999064501) |
| 摘 要： | 介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30～80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导作用.荧光测试结果表明,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带(波长从500～700
nm),发光峰位于567 nm. |
| 关 键 词： | 氮化硅 纳米线 制备 气-固机制 荧光 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-3027-03 |
| 修稿时间： | 2004年3月5日 |
Synthesis and photoluminescence of single-crystalline |
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| XIE Ting,WU Yu-cheng,ZHANG Li-de.Synthesis and photoluminescence of single-crystalline[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):3027-3029. | |
| Authors: | XIE Ting WU Yu-cheng ZHANG Li-de |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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