阈值电流为15mA 的半导体激光器

<正> 德意志联邦邮电总局的研究所(达姆施塔特电信技术中心)研制出适合做光通信中发射机的半导体激光器,这种激光器的材料是 InGaAsP/InP,并具有蘑菇状的横截面,发射波长为1.3μm或1.55μm,其结构大大简单于具有相似性能的“隐埋异质结构”或“BH”激光器。用这种新的结构,西德首先制出室温下阈值电流15mA 的激光器。效率大于30％/端面,即使当激光器的衬底向下装在热沉上时,发射的光功率还超过30mW/端面。蘑菇状激光器能在大于1Gbit/s 的 RZ 信号下进行调制。