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| 基于1 μ m 600 V BCD工艺的高压栅驱动电路 | |
| 作者姓名： | 黎俐 方健 |
| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
| 基金项目： | 国家重大科技02专项资助项目 |
| 摘 要： | 基于低压BCD工艺,与华润上华合作开发了1μm 600 V BCD工艺平台,可以集成600V高压LDMOS和高压结终端.基于此工艺平台,设计了一种高压半桥栅驱动电路.该电路具有独立的低端和高端输入通道,内置长达1 μs的死区时间,防止高低端同时导通.采用双脉冲电平位移结构完成15～615V的电平位移,同时集成过流和欠压等保护功能.高端采用新型的电平位移结构,版图面积减小12％.测试结果表明,高端浮置电平可以加到750V,高低端输出上升时间为50 ns,延迟匹配为150 ns,输出峰值电流大于2A,电路响应快,可靠性高. |
| 关 键 词： | BCD工艺 高压栅驱动 电平位移 |
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