|
|||||
|
|
| 一种高性能的亚阈值基准电压源设计 | |
| 作者姓名： | 代赟 张国俊 |
| 作者单位： | 电子科技大学薄膜与器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
| 摘 要： | 本文给出了一种基于亚阈值MOS特性的基准电压源.通过使用线性区工作的MOS管代替传统电阻来消除掉迁移率和电流的温度影响,拓宽了温度范围,改善了性能.采用0.5μmCMOS工艺进行仿真.结果表明电路能在2.5～8V范围内工作,线性调整率为0.3mV/V.在3.3V工作电压下,输出基准在-55℃到150℃温度范围内温度系数为7.3ppm/℃,静态功耗为13.8μW,1kHz下电源抑制比为-53dB.该基准电压源的设计能满足宽温度范围、低温漂、低功耗和高电源抑制比的要求. |
| 关 键 词： | 亚阈值基准电压源 线性区 温度系数 电源抑制比 低功耗 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |