| 碳纳米管薄膜的场发射特性研究 |
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| 作者姓名： | 曾葆青 田时开 殷吉昊 杨中海 |
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| 作者单位： | 电子科技大学物理电子学院,成都,610054;电子科技大学物理电子学院,成都,610054;电子科技大学物理电子学院,成都,610054;电子科技大学物理电子学院,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,高等学校博士学科点专项科研项目,国防重点实验室基金,60071022,20020614008,,,, |
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| 摘 要： | 碳纳米管薄膜是一种能应用于场发射平面显示器等器件中的新型冷阴极材料。该文用Ni作为催化剂,采用催化热解法在硅片上制备了多壁碳纳米管薄膜场发射阴极,反应气体为乙炔、氢气和氮气。用SEM和TEM分析了其结构,证明了碳纳米管的直径在50~70 nm间。进而采用二极管结构,在优于10-4Pa的真空度下,测试了它的场发射特性,理论分析表明碳纳米管薄膜的场发射实际上来源于突出于薄膜表面的部分碳纳米管顶端。该阴极的开启电场为8 V/mm;在11 V/mm时测试到了最大的发射电流密度2 mA/cm2,满足场发射平面显示器的要求。
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| 关 键 词： | 碳纳米管 场发射 场发射平面显示器 阴极 |
| 收稿时间： | 2003-05-28 |
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