| 长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性 |
| |
| 引用本文： | 刘大福,吴礼刚,徐国森,龚海梅.长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性[J].红外与激光工程,2006,35(3):289-293. |
| |
| 作者姓名： | 刘大福 吴礼刚 徐国森 龚海梅 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
| |
| 摘 要： | 从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究.真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中,得出低温下探测器芯片耐冲击能力低于室温下的探测器芯片,低温下40 mA的脉冲电流会降低其性能,而室温下相应的脉冲电流为70mA.粘接胶的热导率和厚度是影响耐冲击能力的主要因素.
|
| 关 键 词： | 碲镉汞 红外探测器 可靠性 真空热浸 电流冲击 |
| 文章编号： | 1007-2276(2006)03-0289-05 |
| 收稿时间： | 2005-08-30 |
| 修稿时间： | 2005-10-10 |
Reliability of long-wavelength PC HgCdTe IR detectors |
| |
| LIU Da-fu,WU Li-gang,XU Guo-sen,GONG Hai-mei.Reliability of long-wavelength PC HgCdTe IR detectors[J].Infrared and Laser Engineering,2006,35(3):289-293. |
| |
| Authors: | LIU Da-fu WU Li-gang XU Guo-sen GONG Hai-mei |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory of Transducer Technology,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | HgCdTe Infrared detector Reliability Vacuum baking Electrical current shock |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
