| Ba掺杂对Pb(Zr,Ti,Sb)O_3压电陶瓷Curie温度与压电性能的影响 |
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| 引用本文： | 冯玉华,潘铁政,沈湘黔,宋浩杰,过丽萍.Ba掺杂对Pb(Zr,Ti,Sb)O_3压电陶瓷Curie温度与压电性能的影响[J].硅酸盐学报,2010(8). |
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| 作者姓名： | 冯玉华 潘铁政 沈湘黔 宋浩杰 过丽萍 |
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| 作者单位： | 1. 江苏大学材料科学与工程学院,江苏镇江212013;
2. 攀特电陶科技有限公司,江苏昆山215300; |
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| 基金项目： | 中国博士后基金(20090451169); 昆山市科技攻关(KC0810)基金项目 |
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| 摘 要： | 用传统固相法制备了组成为0.98Pb1.0–xBaxTi0.48Zr0.52O3–0.02PbSbO3(x=0.18～0.24)的Ba掺杂Pb(Zr,Ti,Sb)O3(PSZT)压电陶瓷。通过X射线衍射和Raman光谱研究了Ba掺杂PSZT陶瓷的结构,并测量和分析了Ba掺杂对PSZT压电陶瓷的Curie温度和压电性能的影响。结果表明:Ba掺杂影响PSZT陶瓷中四方相和三方相的转化过程、两相比例、晶粒大小并导致四方相的晶格畸变。随Ba含量(x)从0.18增加到0.24,PSZT陶瓷的Curie温度从189℃几乎线性下降到141℃;当Ba掺杂量为0.22时,PSZT陶瓷的Curie温度为156℃,压电应变常数d33为578pC/N,机电耦合系数Kp为0.63,机械品质因数Qm为37.3。
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| 关 键 词： | 锑锆钛酸铅 压电陶瓷 掺杂 Curie温度 压电性能 |
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