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光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
引用本文:周玉刚,李卫平,沈波,陈鹏,陈志忠,臧岚,张荣,顾书林,施毅,郑有炓.光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN[J].高技术通讯,2000,10(8):34-36.
作者姓名:周玉刚  李卫平  沈波  陈鹏  陈志忠  臧岚  张荣  顾书林  施毅  郑有炓
作者单位:南京大学物理系,南京,210093
基金项目:863计划,国家自然科学基金资助项目
摘    要:采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的,组分均匀的AlGaN外延层,结果表明,铝和镓的并入效率基本相等,这有别于其他研究报道,此外,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型,它表明,光加热对预反应有较大的影响,结合GaN的生长可以看出,光加热有利于抑制预反应,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。

关 键 词:ALGAN  GAN  金属有机化学气相淀积  气相寄生反应  光加热

Light Radiation Heating Low Pressure Metal-organic Chemical Vapor Deposition of AlGaN
Zhou Yugang,Li Weiping,Shen Bo,Chen Peng,Chen Zhizhong,Zang Lan,Zhang Rong,Gu Shulin,Shi Yi,Zheng Youdou.Light Radiation Heating Low Pressure Metal-organic Chemical Vapor Deposition of AlGaN[J].High Technology Letters,2000,10(8):34-36.
Authors:Zhou Yugang  Li Weiping  Shen Bo  Chen Peng  Chen Zhizhong  Zang Lan  Zhang Rong  Gu Shulin  Shi Yi  Zheng Youdou
Abstract:
Keywords:GaN    AlGaN    Gas  phase parasitic reaction    Light radiation heating    MOCVD
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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