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| Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制 | |
| 引用本文： | 张玉,荆海,付国柱,高博,廖燕平,李世伟,黄金英.Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制[J].液晶与显示,2007,22(1):37-41. |
| 作者姓名： | 张玉 荆海 付国柱 高博 廖燕平 李世伟 黄金英 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,130039 2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033 3. 吉林彩晶数码高科显示器有限公司,吉林,长春,130033 4. 中国科学院,长春应用化学研究所,高分子与化学国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
| 摘 要： | 采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si—Si键,保留与晶体硅匹配的Si—Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长。经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80nm。而传统方法连续生长20min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰。结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率。 |
| 关 键 词： | 催化化学气相沉积法 多晶硅薄膜 非晶硅孕育层 氢原子刻蚀 晶核 晶化速率 |
| 文章编号： | 1007-2780（2007）01-0037-05 |
| 收稿时间： | 2006-11-11 |
| 修稿时间： | 2006-11-112006-12-22 |
Restriction on Amorphous Incubation Layer of Polysilicon Thin Films by Catalytic Chemical Vapor Deposition |
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| ZHANG Yu,JING Hai,FU Guo-zhu,GAO Bo,LIAO Yan-pin,LI Shi-wei,HUANG Jin-ying.Restriction on Amorphous Incubation Layer of Polysilicon Thin Films by Catalytic Chemical Vapor Deposition[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2007,22(1):37-41. | |
| Authors: | ZHANG Yu JING Hai FU Guo-zhu GAO Bo LIAO Yan-pin LI Shi-wei HUANG Jin-ying |
| Affiliation: | 1. North Liquid Crystal Engineering Research and Development Center, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Science, Changchun 130033, China, 2. Graduate School of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China; 3. Jilin Caijing Digital Hi-Tech Panels Ltd. ,Changchun 130033,China; 4. State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130022,China |
| Abstract: | |
| Keywords: | catalytic chemical vapor chemical polysilicon thin film amorphous incubation layer H atoms etching nucleus crystal rate |
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