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| Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制 | |
| 作者姓名： | 张玉 荆海 付国柱 高博 廖燕平 李世伟 黄金英 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,130039 2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033 3. 吉林彩晶数码高科显示器有限公司,吉林,长春,130033 4. 中国科学院,长春应用化学研究所,高分子与化学国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
| 摘 要： | 采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si—Si键,保留与晶体硅匹配的Si—Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长。经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80nm。而传统方法连续生长20min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰。结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率。 |
| 关 键 词： | 催化化学气相沉积法 多晶硅薄膜 非晶硅孕育层 氢原子刻蚀 晶核 晶化速率 |
| 文章编号： | 1007-2780（2007）01-0037-05 |
| 收稿时间： | 2006-11-11 |
| 修稿时间： | 2006-11-112006-12-22 |
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