| SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究 |
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| 引用本文： | 贾素梅,杨瑞霞,刘英坤,邓建国,高渊.SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究[J].半导体技术,2012,37(4):276-279,304. |
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| 作者姓名： | 贾素梅 杨瑞霞 刘英坤 邓建国 高渊 |
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| 作者单位： | 邯郸学院信息工程学院,河北邯郸056001;河北工业大学信息工程学院,天津300130;河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4) |
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| 摘 要： | 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。
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| 关 键 词： | SiGe/Si异质结双极晶体管 能带工程 掺杂工程 台面结构 关键工艺 |
Study on Process Technology of SiGe/Si HBT |
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| Jia Sumei
,
Yang Ruixia
,
Liu Yingkun
,
Deng Jianguo
,
Gao Yuan.Study on Process Technology of SiGe/Si HBT[J].Semiconductor Technology,2012,37(4):276-279,304. |
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| Authors: | Jia Sumei Yang Ruixia Liu Yingkun Deng Jianguo Gao Yuan |
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| Affiliation: | 1.School of Information Engineering,Handan College,Handan 056001,China; 2.School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China; 3.The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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