| 具有表面超结的横向绝缘栅双极晶体管研究 |
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| 引用本文： | 周淼,倪晓东,何逸涛,陈辰,周锌. 具有表面超结的横向绝缘栅双极晶体管研究[J]. 微电子学, 2022, 52(3): 454-458 |
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| 作者姓名： | 周淼 倪晓东 何逸涛 陈辰 周锌 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公团 第五十八研究所, 江苏 无锡 214035;株洲中车时代半导体有限公司, 湖南 株洲 412000;电子科技大学 功率集成技术实验室, 成都 610054;电子科技大学 功率集成技术实验室, 成都 610054;电子科技大学 广东电子信息工程研究院, 广东 东莞 523808 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62004034)；广东省自然科学基金资助项目(2022A1515012264) |
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| 摘 要： | ![]()
提出了一种基于体硅的表面超结横向绝缘栅双极晶体管(SSJ LIGBT)。分析了工艺参数注入剂量和注入能量对器件性能的影响,基于耐压需求的考虑,设计并优化了SSJ LIGBT器件及其终端。对该SSJ LIGBT进行了击穿特性、输出特性和转移特性的测试。测试结果表明,该SSJ LIGBT的耐压达到693 V,比导通电阻仅为6.45 Ω·mm2。
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| 关 键 词： | 横向绝缘栅双极型晶体管 表面超结 终端设计 耐压 比导通电阻 |
| 收稿时间： | 2022-03-17 |
Study on a Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with Surface Superjunction |
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| ZHOU Miao,NI Xiaodong,HE Yitao,CHEN Chen,ZHOU Xin. Study on a Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with Surface Superjunction[J]. Microelectronics, 2022, 52(3): 454-458 |
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| Authors: | ZHOU Miao NI Xiaodong HE Yitao CHEN Chen ZHOU Xin |
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| Affiliation: | The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp., Wuxi, Jiangsu 400060, P.R.China;Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co., Ltd., Zhuzhou, Hunan 412000, P.R.China;Power Integration Technology Laboratory, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, P.R.China; Power Integration Technology Laboratory, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, P.R.China;Guangdong Institute of Electronic and Information Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Dongguan, Guangdong 523808, P.R.China |
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| Abstract: | ![]()
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