MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响 |
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引用本文: | 曾一平,孔梅影,王晓亮,朱世荣,李灵霄,李晋闽.MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响[J].电子显微学报,1997,16(4):381-384. |
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作者姓名: | 曾一平 孔梅影 王晓亮 朱世荣 李灵霄 李晋闽 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所 |
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摘 要: | 采用分子束外延(MBE)技术,研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料,并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明,较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间,将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为160mA/cm2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器,阈值电流为16nA,外微分量子效率为04mW/mA,激射波长为976±2nm,线性输出功率为100mW。
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关 键 词: | 应变单量子阱 激光器 MBE生长 外延生长 |
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