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| 1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器 | |
| 引用本文： | 王圩,张静媛,田慧良.1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器[J].半导体学报,1984,5(6):679-682. |
| 作者姓名： | 王圩 张静媛 田慧良 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (王圩，张静媛，田慧良)，中国科学院半导体研究所(器件工艺组) |
| 摘 要： | 用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作. |
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