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| 全球氮化镓激光器材料及器件研究现状 | |
| 摘 要： | <正>氮化物半导体材料,也称为氮化镓(GaN)基材料,是继硅(Si)、砷化镓(Ga As)之后的第3代半导体材料,包含了Ga N、氮化铝(Al N)和氮化铟(In N)及它们的合金(禁带宽度范围为0.7~6.2e V),是直接带隙半导体,是制作从紫外到可见光波段半导体激光器的理想材料。半导体激光器具有体积小、效率高、寿命长和响应速度快等优点,在信息科技等领域有广泛的应用,是光电子产业的龙头产品。氮化镓激光 |
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