首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

2.2~3.7GHz双栅GaAs FET可变增益放大器
引用本文:叶禹康.2.2~3.7GHz双栅GaAs FET可变增益放大器[J].固体电子学研究与进展,1989(2).
作者姓名:叶禹康
作者单位:南京电子器件研究所
摘    要:<正> 利用GaAs FET双栅芯片,在30×40mm的复合介质基片上,根据计算机优化结果,制作了三级双棚GaAs FET可变增益放大器。在2.2~3.7GHz频率范围内,典型小信号增益大于25dB;在2.5~3.0GHz频段,最高增益为36dB,典型平坦度为±0.7dB。改变第二栅偏置电压,放大器增益连续可变,典型动态增益范围为70dB。该放大器开关时间小于10ns。可用作高速调制器、高速开关。双栅GaAs FET芯片塑料封装,单电源供电(除二栅),使用方便,稳定可靠,初步试用已显示出它具有应用前景。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号