2.2~3.7GHz双栅GaAs FET可变增益放大器 |
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引用本文: | 叶禹康.2.2~3.7GHz双栅GaAs FET可变增益放大器[J].固体电子学研究与进展,1989(2). |
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作者姓名: | 叶禹康 |
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作者单位: | 南京电子器件研究所 |
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摘 要: | <正> 利用GaAs FET双栅芯片,在30×40mm的复合介质基片上,根据计算机优化结果,制作了三级双棚GaAs FET可变增益放大器。在2.2~3.7GHz频率范围内,典型小信号增益大于25dB;在2.5~3.0GHz频段,最高增益为36dB,典型平坦度为±0.7dB。改变第二栅偏置电压,放大器增益连续可变,典型动态增益范围为70dB。该放大器开关时间小于10ns。可用作高速调制器、高速开关。双栅GaAs FET芯片塑料封装,单电源供电(除二栅),使用方便,稳定可靠,初步试用已显示出它具有应用前景。
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